삼성전자 BV낸드로 AI 시장 먹는다.

삼선전자 bv낸드

"기술력 되찾겠다"…삼성, 400단 '꿈의 낸드'로 반격

 

삼성전자는 HBM 뿐 아니라 AI에 특화된 D램 낸드에 진심이다.

 

BV낸드플래시(Bonding Vertical NandFlash)

삼성전자가 개발한 혁신적인 메모리 기술로, 특히 인공지능(AI) 및 데이터 센터와 같은 고성능 컴퓨팅 환경에서 요구되는 대용량 및 높은 효율성을 제공하는 것을 목표로 합니다.

주요 특징

1. 수직 적층 기술

BV낸드는 기존의 V낸드 기술을 기반으로 하여 셀을 수직으로 쌓아 저장 용량을 극대화합니다. 이는 공간 효율성을 높이고, 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 합니다.

2. 본딩 기술

셀과 이를 제어하는 페리(control layer)를 각각 다른 웨이퍼에서 제조한 후 결합하는 본딩 기술을 적용합니다. 이를 통해 고층 구조에서도 하단부 페리의 손상을 방지하고, 성능과 안정성을 향상시킵니다.

3. 400단 이상 적층 가능

BV낸드는 400단 이상의 셀 적층이 가능하여, 저장 용량을 크게 늘릴 수 있습니다. 이는 고속 데이터 처리와 더불어 대용량 저장을 동시에 가능하게 합니다.

4. 비트 밀도 향상

기존의 V9 모델에 비해 비트 밀도가 1.6배 향상되어, 더 많은 데이터를 동일한 면적에 저장할 수 있습니다.

5. 데이터 입출력 속도 개선

삼성전자는 BV낸드의 기술 발전을 통해 데이터 입출력 속도를 50% 향상시키는 계획을 가지고 있습니다. 이는 고성능 컴퓨팅 환경에서 더욱 중요한 요소입니다.

적용 분야

BV낸드는 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC), 데이터 센터, 클라우드 서비스 등 데이터 처리와 저장이 중요한 분야에서 활용될 것으로 기대됩니다. 이 기술은 차세대 메모리 솔루션으로 자리매김하여, 삼성전자의 경쟁력을 강화하고 시장에서의 입지를 높일 것입니다.

 

삼성전자가 2026년에 출시할 'BV낸드플래시(Bonding Vertical NandFlash)'는 인공지능(AI) 시대에 필수적인 반도체 기술로 주목받고 있습니다. 이 제품은 기존의 V낸드 기술에 본딩 기술을 결합한 혁신적인 형태로, 몇 가지 주요 특징이 있습니다.

먼저, 개발 배경을 살펴보면, 삼성전자는 2013년에 세계 최초로 V낸드 기술을 개발했습니다. 그리고 BV낸드는 이 기술을 한 단계 발전시킨 신제품입니다. 구성 측면에서는 이 제품이 400단 이상 수직으로 적층할 수 있어 저장 용량을 크게 늘릴 수 있다는 점이 특징입니다. 즉, 더 많은 데이터를 담을 수 있다는 것입니다. 기술적 혁신으로는 BV낸드가 기존 낸드플래시의 한계를 극복하기 위해 셀을 쌓은 후, 다른 웨이퍼에서 만든 페리를 붙이는 본딩 기술을 적용했다는 점이 있습니다. 이 덕분에 성능이 더욱 향상될 것으로 기대됩니다.

삼성전자는 2026년에 400단 이상의 셀을 쌓은 BV낸드의 생산을 시작할 예정입니다. 이어서 2027년에는 V11 모델을 출시하고, 1000단 이상의 멀티 BV낸드를 개발할 계획도 가지고 있습니다. 이와 함께 비트 밀도는 286단 V9에 비해 1.6배 향상되는 것을 목표로 하고 있습니다. 데이터 입출력 속도는 2027년까지 50% 향상시킬 계획입니다.

시장과 관련하여 삼성전자는 고대역폭 메모리(HBM)와 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 시장에서 경쟁력을 강화하기 위해 D램과 낸드플래시 기술력을 회복해야 한다고 강조하고 있습니다. 전영현 부회장은 근원 경쟁력 회복을 최우선 과제로 삼고, 저전력·고성능 제품으로 시장의 판도를 변화시킬 계획입니다.

결론적으로, 삼성전자는 BV낸드를 통해 메모리 반도체 분야에서 기술적 우위를 강화하고 AI 시대의 요구에 잘 대응할 것으로 기대하고 있습니다. 이러한 노력은 삼성전자가 반도체 시장에서 지속적으로 경쟁력을 유지하는 데 중요한 역할을 할 것입니다.